子的低温焊料开发始于 2023 年，其将焊接工艺所需温度从＞260℃ 降低至＜150℃，这有效化解 SOCAMM2 各部件在焊接工艺中因热膨胀系数差异导致的形变错位风险。为应对 SOCAMM2 内存条的翘曲风险，三星电子还进行了一系列其它调整改进：将封装内的 Die 布局从双堆栈改为单堆栈以提高物理刚性；优化 EMC 环氧塑封料的厚度和热膨胀系数；通过高精度仿真模型强化对翘曲的前期预测。广告声明：
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